芯片巨頭的芯片財報，釋放重大利好信號。財大利

受業績利好刺激，報釋炒股配资找配资在周四美股盤前交易中，放重美國最大的好信號存儲芯片生產商——美光科技股價直線猛拉，暴漲超10%。芯片最新發布的財大利財報顯示，在人工智能（AI）數據中心需求爆發、報釋存儲芯片供應持續趨緊的放重背景下，美光科技的好信號業績及業績指引均大超市場預期。

華爾街機構分析稱，芯片美光科技的財大利財報過于“炸裂”，業績指引大超預期。報釋炒股配资找配资除了英偉達，放重這可能是好信號美國半導體行業歷史上最大的營收與凈利潤指引上修，且未來幾個季度仍有進一步提升的空間。

芯片巨頭暴漲

北京時間12月18日，在美股盤前交易中，美光科技股價直線飆升，暴漲超10%。

消息面上，美光科技最新公布的2026財年第一財季業績顯示，受益于存儲芯片供應趨緊、價格大幅上漲，以及AI數據中心需求迅猛增長，公司的業績及業績指引均大幅超出分析師預期。

具體來看，美光科技第一財季調整后營收為136.4億美元，同比增長57%，高于分析師預期的129.5億美元；經調整凈利潤為54.82億美元，同比增長58%；調整后每股收益為4.78美元，高于分析師預期為3.95美元。

按部門劃分，美光科技的云存儲部門在第一財季實現銷售額為52.8億美元，同比翻倍；數據中心業務部門銷售額為23.8億美元，同比增長4%；移動與客戶端業務部門貢獻營收42.55億美元，汽車與嵌入式業務部門貢獻營收17.2億美元。

業績指引方面，美光科技預計，第二財季營收為187億美元，上下浮動4億美元，遠超分析師預期的143.8億美元。同時，公司預計非GAAP毛利率將躍升至68%左右，不僅大幅高于分析師預期的55%，也標志著公司盈利能力的歷史性飛躍。

另外，美光科技高管在財報電話會上的樂觀言論也引爆了市場做多情緒。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示，美光在公司整體層面以及所有業務部門均實現了創紀錄的營收和顯著的利潤率擴張。預計公司的業務表現將在整個2026財年持續走強。憑借領先的技術實力、差異化的產品組合以及強有力的運營執行力，公司已成為AI生態中不可或缺的關鍵支撐者，正在持續投資，以滿足客戶對存儲和內存不斷增長的需求。

Sanjay Mehrotra進一步表示：“過去幾個月，我們客戶的AI數據中心建設計劃推動了對內存和存儲需求預測的急劇增長。我們認為，整個行業的供應總量在可預見的未來將遠遠低于需求。”

Mehrotra透露，公司開發的HBM4內存項目進展順利，良率提升速度快于HBM3剛開始生產時，預計從第二季度起產量將增加。即使制造設施全力運轉，美光仍面臨可能難以滿足的更大需求。

針對市場高度關注的資本開支（Capex）計劃，美光科技宣布，將2026財年的凈資本開支從之前的180億美元上調至約200億美元。

華爾街點評：“炸裂”

摩根士丹利Joseph Moore分析團隊在最新發布的報告中指出，美光科技對下一季度的每股收益（EPS）指引比市場共識高出約75%，非GAAP每股收益指引中值達到8.42美元，而市場此前預期僅為4.78美元。該機構分析師直言，除了英偉達，這可能是美國半導體行業歷史上最大的營收與凈利潤指引上修。

巴克萊Tom O'Malley團隊在報告中強調，這是一個“爆發性季度”。盡管市場因為近期的價格動態已有所預期，但此次業績超出的幅度之大仍令人震驚。指引顯示毛利率將達到68%，且未來幾個季度仍有進一步提升的空間。這表明在長期協議的支持下，定價環境將持續改善。

此外，DRAM（動態隨機存取存儲器芯片）、NAND（非易失性閃存存儲器）的平均售價（ASP）因供應緊張持續上漲，巴克萊模型顯示，美光科技下一季度DRAM的平均銷售價格(ASP)將環比增長30%，NAND將環比增長40%。

巴克萊補充指出，美光科技管理層預計HBM的潛在市場規模將以約40%的年均復合增長率（CAGR）增長，至2028年達到1000億美元。美光科技正致力于提升供應能力，但這種供應緊張將對PC等消費端市場產生負面影響，因為產能被優先分配給了高利潤的AI及數據中心領域。

巴克萊給予了美光科技“超配”評級，并將目標價從240美元上調至275美元。其樂觀看法基于存儲行業的結構性變化，認為在供應短缺緩解之前，美光科技將持續受益于改善的運營模式。

但高盛選擇維持對美光科技的“中性”評級，將目標價從205美元上調至235美元。

高盛的核心顧慮在于2026年的定價環境。該行分析師認為，目前的風險回報比處于相對平衡狀態。隨著更多供應商（如三星）通過驗證并釋放產能，2026年HBM價格可能出現回撤風險。高盛表示，只有當看到全行業在2027年繼續保持供應增長的紀律性時，才會考慮對該股持更具建設性的態度。